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碳化硅SiC长晶设备

产品简介

碳化硅SiC长晶设备
是实现高质量SiC晶体生长、高纯度原料合成、高温晶体热处理的专业设备。广泛应用于SiC晶体生长、原料合成、晶体热处理领域。可以生长6/8英寸的晶锭。

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更新时间:2024-04-28
厂商性质:代理商
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碳化硅SiC长晶设备

是实现高质量SiC晶体生长、高纯度原料合成、高温晶体热处理的专业设备。广泛应用于SiC晶体生长、原料合成、晶体热处理领域。可以生长6/8英寸的晶锭。

碳化硅SiC长晶设备

碳化硅SiC长晶设备


真空炉腔系统较为限本底真空值达到≤5.0E-5Pa,升压率≤3Pa/12h,保证晶体生长的稳定性

.智能化生长及监测系统,实现多种制程精确定制,工艺优化,长晶全过程实时监控,数据可视化存档

.新型感应加热线圈设计,有效提高热场加热的均匀性和稳定性
.业内1st创的PIM自检系统,有效减免制程时间浪费
.稳定可靠的水冷系统,实现了水道管路温度、流量的实时监控,保证了生长室温场的稳定性
.可生产6英寸P级碳化硅衬底,微管缺陷密度<0.5个/cm2,电阻率达0.015-0.0280


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